RADIATION RESISTANCE OF CONTACT MULTICOMPONENT METALLIZATION OF SENSOR OF COORDINATES OF THE SUN

Authors

  • Andrii Volodymyrovych Hetman Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Ukraine
  • Taras Oleksiiovych Kovalenko Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.20535/1813-5420.0.2014.150557

Keywords:

solar cells (cell components), photovoltaic cells, radiation resistance, the lifetime of charge carriers, silicon wafers

Abstract

This paper presents the results of research and development of radiation resistance metallization sensor angular coordinates of the Sun , which is developed on the basis of conventional photovoltaic cells - solar cells. Nowadays, multi-layer solar cells based on A3B5 actively developed in the design of systems of power spacecraft, but is it appropriate to use silicon solar cells and sensors based on silicon LEO spacecraft and other space applications. Research on radiation resistance was performed on solar cells with n +- p -p + structure. Sensor angular coordinates of the sun exposed to the flow of electrons with an energy of 7 MeV. The density of the accelerated electron flux was 3 · 108 cm- 2s -1 in the atmosphere. The value of the absorbed radiation dose reached 100 steals (Si).

References

http://www.nkau.gov.ua/nsau/newsnsau.nsf/NewsallU/71438EC2E2BF8C64C2257758002DC09F?OpenDocument&Lang=U.

Сейдман Л.А. Реактивное нанесение в вакууме слоїв нитрида титана и применение их в системах контактной металлизации полупроводниковых приборов: Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. - М.: ЦНИИ «Электроника», 1988. - Вып. 6.

Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. - М.: Мир, 1982. - 576 с.

Kohn A., Eizenberg M., Shacham-Diamand Y. et al. Evaluation of electroless deposited Co (W, P) thin films as diffusion barriers for copper metallization // Microel. Eng. - 2001. - Vol. 55. - P. 297 - 303.

Wang S.-Q., Raaijmakers I.J., Burrow B.J et al. Reactively sputtered TiN as a diffusion barrier between Cu and Si // J. Appl. Phys. - 1990. - Vol. 68. - P. 5176 - 5187.

Brizoual L. Le, Guilet S., Lemperiere G. et al. Analysis of Ti-Si-N diffusion barrier films obtained by r.f. magnetron sputtering // Microel. Eng. - 2000. - Vol. 50. - P. 509 - 513.

Riedel S., Schulz S.E., Baumann J. et al. Influence of different treatment techniques on the barrier properties of MOCVD TiN against copper diffusion // Microel. Eng. - 2001. - Vol. 55. - P. 213 - 218.

Reid J.S., Kolawa E., Ruiz R.P., Nicolet M.-A. Evaluation of amorphous (Mo, Ta, W)-Si-N diffusion barriers forCu metallizations // Thin Solid. Films. - 1993. - Vol. 236. - P. 319 - 324.

Lin C.-L., Ku S.-R., Chen M.-C. Reactively Sputtered Amorphous TaSixNy Films Serving as Barrier Layer Against Copper Diffusion // J. Appl. Phys. - 2001. - Vol. 40. - P. 4181 - 4186.

Громов Д.Г., Учебное пособие по дисциплине «Металлизация в системах с наноразмерными элементами». - М.: МИЭТ, 2011. - 204 с.: ил.

N.W. Cheung, H. von Seefield, M-A. Nicolet F. Ho, P. Lies, Thermal stability of titaniym nitride for shallow junction solar cell contacts.

P. R. Fournier, U. S. Patent 3 879 746 (1975).

W. J. Garceau, P. R. Fournier, and G. K. Herb, Thin Solid Films 60, 237.