RADIATION RESISTANCE OF CONTACT MULTICOMPONENT METALLIZATION OF SENSOR OF COORDINATES OF THE SUN

Authors

  • Andrii Volodymyrovych Hetman Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Ukraine
  • Taras Oleksiiovych Kovalenko Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.20535/1813-5420.0.2014.150557

Keywords:

solar cells (cell components), photovoltaic cells, radiation resistance, the lifetime of charge carriers, silicon wafers

Abstract

This paper presents the results of research and development of radiation resistance metallization sensor angular coordinates of the Sun , which is developed on the basis of conventional photovoltaic cells - solar cells. Nowadays, multi-layer solar cells based on A3B5 actively developed in the design of systems of power spacecraft, but is it appropriate to use silicon solar cells and sensors based on silicon LEO spacecraft and other space applications. Research on radiation resistance was performed on solar cells with n +- p -p + structure. Sensor angular coordinates of the sun exposed to the flow of electrons with an energy of 7 MeV. The density of the accelerated electron flux was 3 · 108 cm- 2s -1 in the atmosphere. The value of the absorbed radiation dose reached 100 steals (Si).

References

http://www.nkau.gov.ua/nsau/newsnsau.nsf/NewsallU/71438EC2E2BF8C64C2257758002DC09F?OpenDocument&Lang=U.

Сейдман Л.А. Реактивное нанесение в вакууме слоїв нитрида титана и применение их в системах контактной металлизации полупроводниковых приборов: Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. - М.: ЦНИИ «Электроника», 1988. - Вып. 6.

Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. - М.: Мир, 1982. - 576 с.

Kohn A., Eizenberg M., Shacham-Diamand Y. et al. Evaluation of electroless deposited Co (W, P) thin films as diffusion barriers for copper metallization // Microel. Eng. - 2001. - Vol. 55. - P. 297 - 303.

Wang S.-Q., Raaijmakers I.J., Burrow B.J et al. Reactively sputtered TiN as a diffusion barrier between Cu and Si // J. Appl. Phys. - 1990. - Vol. 68. - P. 5176 - 5187.

Brizoual L. Le, Guilet S., Lemperiere G. et al. Analysis of Ti-Si-N diffusion barrier films obtained by r.f. magnetron sputtering // Microel. Eng. - 2000. - Vol. 50. - P. 509 - 513.

Riedel S., Schulz S.E., Baumann J. et al. Influence of different treatment techniques on the barrier properties of MOCVD TiN against copper diffusion // Microel. Eng. - 2001. - Vol. 55. - P. 213 - 218.

Reid J.S., Kolawa E., Ruiz R.P., Nicolet M.-A. Evaluation of amorphous (Mo, Ta, W)-Si-N diffusion barriers forCu metallizations // Thin Solid. Films. - 1993. - Vol. 236. - P. 319 - 324.

Lin C.-L., Ku S.-R., Chen M.-C. Reactively Sputtered Amorphous TaSixNy Films Serving as Barrier Layer Against Copper Diffusion // J. Appl. Phys. - 2001. - Vol. 40. - P. 4181 - 4186.

Громов Д.Г., Учебное пособие по дисциплине «Металлизация в системах с наноразмерными элементами». - М.: МИЭТ, 2011. - 204 с.: ил.

N.W. Cheung, H. von Seefield, M-A. Nicolet F. Ho, P. Lies, Thermal stability of titaniym nitride for shallow junction solar cell contacts.

P. R. Fournier, U. S. Patent 3 879 746 (1975).

W. J. Garceau, P. R. Fournier, and G. K. Herb, Thin Solid Films 60, 237.

Downloads

Issue

2014: Special issue

Section

TECHIQUE

License

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  1. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  1. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).