РАДІАЦІЙНА СТІЙКІСТЬ БАГАТОКОМПОНЕНТНОЇ КОНТАКТНОЇ МЕТАЛІЗАЦІЇ ДАТЧИКА КООРДИНАТ СОНЦЯ

Автор(и)

  • Andrii Volodymyrovych Hetman Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Україна
  • Taras Oleksiiovych Kovalenko Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», Україна

DOI:

https://doi.org/10.20535/1813-5420.0.2014.150557

Ключові слова:

сонячні батареї (комірки, елементи), фотоелектричні перетворювачі, радіаційна стійкість, час життя носіїв заряду, кремнієва пластина

Анотація

У цій роботі представлені результати розробки і дослідження радіаційної стійкості металізації сенсора кутових координат Сонця, який розроблений на основі звичайних фотоелектричних перетворювачів – сонячних батарей. У наші дні багатошарові сонячні батареї на основі А 3 В 5 активно розвиваються у сфері конструювання систем електроживлення космічних апаратів, але ще є доцільним використання кремнієвих сонячних батарей та сенсорів на основі кремнію в низькоорбітальних космічних апаратах та інших космічних застосунках. Дослідження на радіаційну стійкість проводили на сонячних елементах з n + -р-р + структурою. Сенсор кутових координат Сонця піддавали дії потоку електронів з енергією 7 МеВ. Щільність прискореного потоку електронів складала 3·10 8 см -2 с -1 в атмосфері. Значення поглиненої дози опромінення досягали 100 крад (Si).

Посилання

http://www.nkau.gov.ua/nsau/newsnsau.nsf/NewsallU/71438EC2E2BF8C64C2257758002DC09F?OpenDocument&Lang=U.

Сейдман Л.А. Реактивное нанесение в вакууме слоїв нитрида титана и применение их в системах контактной металлизации полупроводниковых приборов: Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. - М.: ЦНИИ «Электроника», 1988. - Вып. 6.

Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. - М.: Мир, 1982. - 576 с.

Kohn A., Eizenberg M., Shacham-Diamand Y. et al. Evaluation of electroless deposited Co (W, P) thin films as diffusion barriers for copper metallization // Microel. Eng. - 2001. - Vol. 55. - P. 297 - 303.

Wang S.-Q., Raaijmakers I.J., Burrow B.J et al. Reactively sputtered TiN as a diffusion barrier between Cu and Si // J. Appl. Phys. - 1990. - Vol. 68. - P. 5176 - 5187.

Brizoual L. Le, Guilet S., Lemperiere G. et al. Analysis of Ti-Si-N diffusion barrier films obtained by r.f. magnetron sputtering // Microel. Eng. - 2000. - Vol. 50. - P. 509 - 513.

Riedel S., Schulz S.E., Baumann J. et al. Influence of different treatment techniques on the barrier properties of MOCVD TiN against copper diffusion // Microel. Eng. - 2001. - Vol. 55. - P. 213 - 218.

Reid J.S., Kolawa E., Ruiz R.P., Nicolet M.-A. Evaluation of amorphous (Mo, Ta, W)-Si-N diffusion barriers forCu metallizations // Thin Solid. Films. - 1993. - Vol. 236. - P. 319 - 324.

Lin C.-L., Ku S.-R., Chen M.-C. Reactively Sputtered Amorphous TaSixNy Films Serving as Barrier Layer Against Copper Diffusion // J. Appl. Phys. - 2001. - Vol. 40. - P. 4181 - 4186.

Громов Д.Г., Учебное пособие по дисциплине «Металлизация в системах с наноразмерными элементами». - М.: МИЭТ, 2011. - 204 с.: ил.

N.W. Cheung, H. von Seefield, M-A. Nicolet F. Ho, P. Lies, Thermal stability of titaniym nitride for shallow junction solar cell contacts.

P. R. Fournier, U. S. Patent 3 879 746 (1975).

W. J. Garceau, P. R. Fournier, and G. K. Herb, Thin Solid Films 60, 237.

##submission.downloads##

Номер

2014: Спецвипуск

Розділ

ТЕХНОЛОГІЇ

Ліцензія

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  1. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  1. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).