DOI: https://doi.org/10.20535/1813-5420.0.2014.150557

РАДІАЦІЙНА СТІЙКІСТЬ БАГАТОКОМПОНЕНТНОЇ КОНТАКТНОЇ МЕТАЛІЗАЦІЇ ДАТЧИКА КООРДИНАТ СОНЦЯ

Andrii Volodymyrovych Hetman, Taras Oleksiiovych Kovalenko

Анотація


У цій роботі представлені результати розробки і дослідження радіаційної стійкості металізації сенсора кутових координат Сонця, який розроблений на основі звичайних фотоелектричних перетворювачів – сонячних батарей. У наші дні багатошарові сонячні батареї на основі А 3 В 5 активно розвиваються у сфері конструювання систем електроживлення космічних апаратів, але ще є доцільним використання кремнієвих сонячних батарей та сенсорів на основі кремнію в низькоорбітальних космічних апаратах та інших космічних застосунках. Дослідження на радіаційну стійкість проводили на сонячних елементах з n + -р-р + структурою. Сенсор кутових координат Сонця піддавали дії потоку електронів з енергією 7 МеВ. Щільність прискореного потоку електронів складала 3·10 8 см -2 с -1 в атмосфері. Значення поглиненої дози опромінення досягали 100 крад (Si).

Ключові слова


сонячні батареї (комірки, елементи); фотоелектричні перетворювачі; радіаційна стійкість; час життя носіїв заряду; кремнієва пластина

Повний текст:

PDF

Посилання


http://www.nkau.gov.ua/nsau/newsnsau.nsf/NewsallU/71438EC2E2BF8C64C2257758002DC09F?OpenDocument&Lang=U.

Сейдман Л.А. Реактивное нанесение в вакууме слоїв нитрида титана и применение их в системах контактной металлизации полупроводниковых приборов: Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. - М.: ЦНИИ «Электроника», 1988. - Вып. 6.

Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. - М.: Мир, 1982. - 576 с.

Kohn A., Eizenberg M., Shacham-Diamand Y. et al. Evaluation of electroless deposited Co (W, P) thin films as diffusion barriers for copper metallization // Microel. Eng. - 2001. - Vol. 55. - P. 297 - 303.

Wang S.-Q., Raaijmakers I.J., Burrow B.J et al. Reactively sputtered TiN as a diffusion barrier between Cu and Si // J. Appl. Phys. - 1990. - Vol. 68. - P. 5176 - 5187.

Brizoual L. Le, Guilet S., Lemperiere G. et al. Analysis of Ti-Si-N diffusion barrier films obtained by r.f. magnetron sputtering // Microel. Eng. - 2000. - Vol. 50. - P. 509 - 513.

Riedel S., Schulz S.E., Baumann J. et al. Influence of different treatment techniques on the barrier properties of MOCVD TiN against copper diffusion // Microel. Eng. - 2001. - Vol. 55. - P. 213 - 218.

Reid J.S., Kolawa E., Ruiz R.P., Nicolet M.-A. Evaluation of amorphous (Mo, Ta, W)-Si-N diffusion barriers forCu metallizations // Thin Solid. Films. - 1993. - Vol. 236. - P. 319 - 324.

Lin C.-L., Ku S.-R., Chen M.-C. Reactively Sputtered Amorphous TaSixNy Films Serving as Barrier Layer Against Copper Diffusion // J. Appl. Phys. - 2001. - Vol. 40. - P. 4181 - 4186.

Громов Д.Г., Учебное пособие по дисциплине «Металлизация в системах с наноразмерными элементами». - М.: МИЭТ, 2011. - 204 с.: ил.

N.W. Cheung, H. von Seefield, M-A. Nicolet F. Ho, P. Lies, Thermal stability of titaniym nitride for shallow junction solar cell contacts.

P. R. Fournier, U. S. Patent 3 879 746 (1975).

W. J. Garceau, P. R. Fournier, and G. K. Herb, Thin Solid Films 60, 237.


Пристатейна бібліографія ГОСТ






___________________________________________________________

© Кафедра електропостачання, Інститут енергозбереження та енергоменеджменту, НТУУ 'КПІ ім. Ігоря Сікорського' 2019 р.

Адміністратор web-сайту Закладний О.О. zakladniy@gmail.com